外延技術
- 分類：無分類內容
- 發布時間：2021-02-27 18:18:32
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概要:
詳情
基本半導體生產150mm 碳化硅外延片，具有極佳的均勻性，外延厚度最高可達250μm。針對不同規格要求，我們提供一套完整的碳化硅材料外延解決方案。
? 針對帶緩沖層或無緩沖器的厚外延層，低摻雜層厚度可高達250μm。
? 包括PN結和不同摻雜水平的多層結構。
? 在外延過程中嵌入或埋置指定結構和接觸層。
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